BYM11-50HE3/96
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | BYM11-50HE3/96 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 50 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-213AB |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | SUPERECTIFIER® |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 150 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 50 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | BYM11 |
BYM11-50HE3/96 Einzelheiten PDF [English] | BYM11-50HE3/96 PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
VISHAY SMD
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
BYM11-50 VISHAY
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
BYM11-600 VISHAY
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BYM11-50HE3/96Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|